揚杰科技申請?zhí)蓟瓒O管器件及其制備方法專利,，降低器件外延層的導(dǎo)通電阻,，進一步提高器件通流能力

中捷之車 2023-12-31 共71585人圍觀

金融界2023年12月30日消息，據(jù)國知識產(chǎn)權(quán)局公告，揚州揚杰電子科技股份有限公司申請一項名為“一種碳化硅二極管器件及其制備方法“,，公開號CN117316986A,，申請日期為2023年10月。

專利摘要顯示,，一種碳化硅二極管器件及其制備方法,。涉及半導(dǎo)體器件。包括從下而上依次設(shè)置的碳化硅襯底,、碳化硅外延層,、正面電極金屬；所述碳化硅外延層的頂面設(shè)有若干向下延伸的P區(qū)溝槽,，所述P區(qū)溝槽內(nèi)設(shè)有P型區(qū),；若干所述P型區(qū)間設(shè)有N區(qū)溝槽；所述P型區(qū)內(nèi)部設(shè)有歐姆接觸金屬,；所述歐姆接觸金屬和碳化硅外延層上設(shè)有肖特基結(jié)接觸金屬,；所述肖特基結(jié)接觸金屬的上方設(shè)有正面電極金屬；所述碳化硅襯底和碳化硅外延層的導(dǎo)電類型均為N型,。本發(fā)明可以通過形成兩層不同摻雜濃度的外延層,，來降低器件外延層的導(dǎo)通電阻，進一步提高器件通流能力,。

揚杰科技申請?zhí)蓟瓒O管器件及其制備方法專利,，降低器件外延層的導(dǎo)通電阻，進一步提高器件通流能力