揚(yáng)杰科技申請(qǐng)?zhí)蓟瓒O管器件及其制備方法專利,，降低器件外延層的導(dǎo)通電阻,，進(jìn)一步提高器件通流能力

中捷之車 2023-12-31 共71675人圍觀

金融界2023年12月30日消息,，據(jù)國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告,，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種碳化硅二極管器件及其制備方法“，公開號(hào)CN117316986A,，申請(qǐng)日期為2023年10月,。

專利摘要顯示，一種碳化硅二極管器件及其制備方法,。涉及半導(dǎo)體器件,。包括從下而上依次設(shè)置的碳化硅襯底、碳化硅外延層,、正面電極金屬,；所述碳化硅外延層的頂面設(shè)有若干向下延伸的P區(qū)溝槽，所述P區(qū)溝槽內(nèi)設(shè)有P型區(qū),；若干所述P型區(qū)間設(shè)有N區(qū)溝槽,；所述P型區(qū)內(nèi)部設(shè)有歐姆接觸金屬；所述歐姆接觸金屬和碳化硅外延層上設(shè)有肖特基結(jié)接觸金屬,；所述肖特基結(jié)接觸金屬的上方設(shè)有正面電極金屬,；所述碳化硅襯底和碳化硅外延層的導(dǎo)電類型均為N型。本發(fā)明可以通過形成兩層不同摻雜濃度的外延層,，來降低器件外延層的導(dǎo)通電阻,，進(jìn)一步提高器件通流能力。